Wolna encyklopedia
Laser półprzewodnikowy (laser diodowy, dioda laserowa) - laser, którego obszarem czynnym jest półprzewodnik. Najczęściej laser półprzewodnikowy ma postać złącza p-n i obszar czynny jest pompowany przez przepływający przez złącze prąd elektryczny.
Spis treści |
Obszary czynne laserów półprzewodnikowych
Lasery złączowe:
- struktura homozłączowa
- struktura monoheterozłączowa
- struktura biheterozłączowa
- studnia kwantowa
- druty kwantowe
- kropki kwantowe
Lasery bezzłączowe:
- struktura lasera kaskadowego
Rodzaje laserów półprzewodnikowych
Historia
Pierwsze lasery półprzewodnikowe powstały niemal równocześnie w 1962 w czterech laboratoriach amerykańskich [1] [2] [3] [4] i jednym radzieckim[5]. W większości z tych laserów złącze wykonane było z arsenku galu. W jednym przypadku był to fosforo-arsenek galu. Pierwszy laser półprzewodnikowy w Polsce został wykonany w 1966 przez Bohdana Mroziewicza w Instytucie Podstawowych Problemów Techniki PAN. [6] Pierwsze lasery półprzewodnikowe oparte były na strukturze homozłączowej i pracowały wyłącznie w niskich temperaturach.
W 1963 Herbert Kroemer[7] i Żores Ałfiorow[8] niezależnie zaproponowali zastosowanie struktury heterozłączowej w celu polepszenia sprawności emisji wymuszonej.
Zastosowania
Ze względu na niewielkie rozmiary, niskie koszty produkcji, oraz wysoką wydajność, lasery półprzewodnikowe są dzisiaj najczęściej wykorzystywanym rodzajem laserów, znajdują zastosowanie między innymi w napędach CD, DVD, Blu Ray , XDCAM, wskaźnikach laserowych, łączności światłowodowej, w zastosowaniach militarnych jako wskaźniki celu , dalmierze.
Bibliografia
- Bohdan Mroziewicz, Maciej Bugajski, Włodzimierz Nakwaski: Lasery półprzewodnikowe. Warszawa: Państwowe Wydawnictwo Naukowe, 1985. ISBN 83-01-04758-5.
Przypisy
- ↑ Marshall I. Nathan, William P. Dumke, Gerald Burns, Frederick, Jr. H. Dill i inni. Stimulated Emission of Radiation from GaAs p-n Junctions. Applied Physics Letters. 1 listopada 1962 Vol. 1. 3: 62-64.
- ↑ R. N. Hall, J. D. Kingsley, T. J. Soltys i inni. Coherent Light Emission From GaAs Junctions. Physical Review Letters. Listopad 1962, vol. 9. 9: 366-368.
- ↑ Nick, Jr. Holonyak, S. F. Bevacqua. Coherent (visible) light emission from Ga (As1-xPx) Junctions. Applied Physics Letters. 1. grudnia 1962, Vol. 1. 4: 82-83.
- ↑ T. M. Quist, R. H. Rediker, R. J. Keyes, W. E. Krag i inni. Semiconductor maser of GaAs. Applied Physics Letters. 1. grudnia 1962, Vol. 1. 4: 91-92.
- ↑ D.N. Nasledov, A.A. Rogachev, S.M. Ryvkin, B.V. Tsarenkov. Recombination radiation of galium arsenic. Fizika Tverdovo Tela. 1962, 4, 4: 1062.
- ↑ B. Darek, B. Mroziewicz, J. Świderski. Polish-made laser using a gallium arsenide junction (Gallium arsenide laser design using p-n junction obtained by diffusion of zinc in tellurium doped n-GaAs single crystal). Archiwum elektrotechniki. 1966, Vol. 15. 1: 163-167.
- ↑ Herbert Kroemer. A proposed class of hetero-junction injection lasers. Proceedings of the IEEE. 51. 12: 1782- 1783.
- ↑ Ałfiorow, Ż. i Kazarinow, R., Laser półprzewodnikowy z pompowaniem elektrycznym, patent ZSRR 181737 (1963)