Wolna encyklopedia
Pamięć dynamiczna, DRAM (ang. Dynamic Random Access Memory) – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej pamięci o dostępie swobodnym, której bity są reprezentowane przez stan naładowania kondensatorów. Poszczególne jej elementy zbudowane są oparciu o tranzystory MOS z których jeden pełni funkcję składa się z kondensatora, a drugi elementu separującego.
W przeciwieństwie do pamięci statycznych nie wymagają stałego zasilania, a jedynie okresowego odświeżania zawartości (ze względu na rozładowywania się ładunków zgromadzonych w kondensatorach), co wiąże się z niższym zużyciem energii. Jednocześnie pojedyncza komórka pamięci dynamicznej składa się z mniejszej liczby elementów niż analogiczna komórka pamięci statycznej. Powyższe cechy pozwalają na większe upakowanie elementów w układach scalonych co bezpośrednio skutkuje niższymi kosztami produkcji i pozwala na budowę układów pamięci o większych pojemnościach.
Odświeżanie musi następować w regularnych odstępach czasu oraz bezpośrednio po każdej po operacji odczytu i polega na ponownym zapisie odczytanej wartości w te same komórki pamięci. Za odświeżanie odpowiedzialne są specjalizowane układy wspomagające (kontroler pamięci - obecnie najczęściej stanowi on integralną część chipsetu) bądź sam procesor (np. Z80).
Pamięci dynamiczne najczęściej łączone są w dwuwymiarowe tablice adresowane numerem wiersza i kolumny, co pozwala ograniczyć liczbę wymaganych linii adresowych i przyspieszyć sekwencyjny odczyt danych umieszczonych w kolejnych komórkach tego samego wiersza pamięci.
Pamięci dynamiczne są obecnie szeroko wykorzystywane jako pamięć operacyjna we wszystkich urządzeniach niespecjalizowanych.
Popularne odmiany pamięci DRAM
- EDO – Extended Data Out DRAM
- FPM – Fast Page Mode DRAM
- SDRAM – Synchronous DRAM
- RAMBUS (RDRAM)
- DDR – Dual Data Rate Synchronous DRAM
- DDR2 – Dual Data Rate Synchronous DRAM wersja druga
- DDR3 – Dual Data Rate Synchronous DRAM wersja trzecia
Linki zewnętrzne
|
|||||